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利用TI的600V GaN FET功率级实现高性能功率转换革命

首次公开采样,TI制造的集成高压GaN FET和驱动器解决方案实现了两倍的功率密度和一半的功率损耗

达拉斯, 2016年4月25日/PRNewswire/- 基于数十年的电源管理创新,德州仪器(TI)(纳斯达克股票代码:TXN)今天宣布推出600 -V氮化镓(GaN)70mΩ场效应晶体管(FET)功率级工程样品,使TI成为第一家也是唯一一家公开提供高压驱动器集成GaN解决方案的半导体制造商。与基于硅FET的解决方案相比,新型12-A LMG3410功率级与TI的模拟和数字电源转换控制器相结合,使设计人员能够创建更小,更高效和更高性能的设计。这些优势在隔离的高压工业,电信,企业计算和可再生能源应用中尤为重要。

“LMG3410可靠性测试超过300万小时,为电源设计人员提供服务TI企业负责高压电源解决方案的副总裁,他表示有信心实现GaN的潜力,并以前所未有的方式重新考虑其电源架构和系统。 “扩展TI在制造能力和广泛系统设计专业常识方面的声誉,新的功率级是GaN市场的重要一步。”

凭借其集成驱动器和零反向恢复电流等功能, LMG3410提供可靠的性能,特别是在硬开关应用中,它可以显着降低开关损耗高达80%。与独立的GaN FET不同,易于使用的LMG3410集成了内置智能,可用于温度,电流和欠压定(UVLO)故障保护。

经过验证的制造和封装专业常识

利用TI的600V GaN FET功率级实现高性能功率转换革命

LMG3410的主要特性和优点

功率密度加倍。与最先进的硅基升压功率因数转换器相比,600V功率级在图腾柱PFC中的功耗降低了50%。减少材料清单(BOM)数量和提高效率可使电源尺寸减少多达50%。

降低封装寄生电感。与分立式GaN解决方案相比,新器件的8毫米×8毫米四方扁平无引线(QFN)封装可降低功率损耗,元件电压应力和电磁干扰(EMI)。

启用新拓扑。GaN的零反向恢复电荷有利于新的开关拓扑,包括图腾柱PFC和LLC拓扑结构,以提高功率密度和效率。

扩大GaN生态系统
为了支撑在电源设计中充分利用GaN技术的设计人员,TI还推出了新产品来扩展其GaN生态系统。 LMG5200POLEVM-10是一款48V至1V负载点(POL)评估模块,将包括新型TPS53632G GaN FET控制器,与80V LMG5200 GaN FET功率级配合使用。该解决方案可在工业,电信和数据通信应用中实现高达92%的效率。

可用性和定价
TI将提供包含半桥的开发套件子卡和四个LMG3410 IC样品。第二个套件包含系统级评估主板。当一起使用时,这两个套件可以马上进行基准测试和设计。这两款开发套件现已在TI商店购买,价格分别为 $ 299.00 和 $ 199.00 。

其他资源:

查看TI的GaN解决方案产品组合。

利用数字电源转换控制器增强您的GaN体验。

下载这些白皮书:

“使用集成驱动程序优化GaN性能。”

“GaN FET-based CCM Totem-Pole Bridgeless PFC。”

阅读博客文章“让GaN一起,可靠地”,并在Power House博客上探索更多的GaN帖子。

加入TI E2E?社区氮化镓(GaN)解决方案论坛,与同行工程师和TI专家一起寻找解决方案,获取帮助,分享常识并解决问题。

关于德州仪器

德州仪器(TI)是一家全球半导体设计和制造企业,致力于开发模拟集成电路(IC)和嵌入式处理器。通过采用世界上最聪明的人才,TI创造了塑造技术未来的创新。如今,TI正在帮助超过100,000名客户改变未来。

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