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TL431可编程并联稳压器的高功率模拟电路概况

图1中的电路是流行的TL431可编程并联稳压器的高功率模拟。当P沟道FET的漏极接地时,这种双端电路非常方便,因为它不需要与接地散热器隔离。

TL431可编程并联稳压器的高功率模拟电路概况

图1基于TL431的并联稳压器或限幅器

然而,没有TL431的镜像模拟器,所以当你有一个正极接地时,你需要在漏极和接地散热器之间进行隔离,降低冷却性能。

图2中提出的设计理念允许使用更低的 - 在接地散热器上使用N沟道MOSFET。它还可以承受比图1更低的输入电压值。

TL431可编程并联稳压器的高功率模拟电路概况

图2基于TL431的并联稳压器或使用N沟道MOSFET的限幅器

该电路可用作高功耗的可调钳位,具有精确的电平控制和非常敏锐的回应。如果需要,镇流电阻R b 可以用保险丝代替。 响应时间不如Transil/Transzorb类型的部件快,但对于大多数应用来说,几微秒就足够了。

该电路也可用作高电流分流器监管机构虽然有稳定性警告。电路稳定,负载电容低于约1nF或高于约200μF。

电路可以轻松扩展:只需选择具有合适漏极电流的FET。已使用75A HUF75652G3和85A IRF1010N。

如果出现以下情况,则可省略齐纳二极管D2:

V G(max)> E O ×R5/(R4 + R5)

使用与TL431相同的表达式计算钳位电压:

E O = V REF (1 + R1/R2)(V REF = 2.5V)

绝对最大额定值也与TL431相同,当然除了当前。最小输入电压比单独的TL431高约0.8V。

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